Infineon 600V CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 149 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R015CFD7XTMA1

RS Stock No.:: 284-735
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R015CFD7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 149 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R015CFD7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,264.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,352.61

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

95 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB1,264.12
10 - 99	THB1,137.66
100 +	THB1,049.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-735
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R015CFD7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	149A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS
	Package Type	PG-HDSOP-22
	Mount Type	Surface
	Pin Count	22
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	657W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	251nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 149A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS
	Package Type PG-HDSOP-22
	Mount Type Surface
	Pin Count 22
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 657W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 251nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Automotive Standard No

Datasheet - IPDQ60R015CFD7XTMA1

The Infineon MOSFET features a 600V CoolMOS CFD7 Power Transistor is engineered to excel in high voltage power applications, delivering unparalleled efficiency and reliability. Utilising Advanced super junction technology, this product offers a seamless upgrade over its predecessor, the CFD2 series. With a design focused on soft switching applications such as phase shift full bridge converters and LLC circuits, it ensures optimal performance. Enhanced features like reduced gate charge and minimal reverse recovery charge make this transistor a go to solution for modern energy systems. Its Compact PG HDSOP 22 package guarantees easy integration into existing designs, maximising power density while minimising installation complexity. The CoolMOS CFD7 is also fully compliant with JEDEC standards for industrial applications, ensuring long term stability and reliability in demanding environments.

Optimised for soft switching topologies

Ultra fast body diode for high speed switching

Integrated thermal management extends longevity

Tailored for resonant topologies boosting efficiency

Compact design simplifies PCB mounting

Maximises power density for space constraints

Robust commutation ensures reliable operation

Enhances reliability standards for industrial use

Infineon 600V CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 149 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R015CFD7XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง