Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

RS Stock No.:: 284-721
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMT65R048M1HXUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB737,446.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB789,068.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 +	THB368.723	THB737,446.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-721
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMT65R048M1HXUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PG-HSOF-8
	Series	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	64mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	23 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Power Dissipation Pd	227W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PG-HSOF-8
	Series CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Power Dissipation Pd 227W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMT65R048M1HXUMA1

The Infineon CoolSiC MOSFET 650V G1 epitomises innovation in semiconductor technology. This high performance device leverages robust silicon carbide technology, optimising efficiency and reliability for applications requiring superior thermal performance and stability. Designed specifically for demanding environments, it excels in high temperature operations while simplifying system designs. With its Advanced features, the MOSFET ensures that users can achieve excellent power density and conserve space, making it an Ideal choice for a range of applications including electric vehicle charging infrastructure, solar inverters, and efficient power supplies. The CoolSiC MOSFET 650V G1 is more than just a component; it embodies a commitment to performance and reliability, perfect for modern electronic solutions.

Optimised for high frequency applications

Robust thermal performance for harsh environments

Enhanced reliability for extended life

Low switching losses improve efficiency

Compact design reduces system footprint

Industry leading avalanche capability for fault tolerance

User friendly integration with standard drivers

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง