Infineon IGT65 Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R025D2ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB652.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB698.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,945 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB652.65
10 - 99THB587.34
100 +THB541.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
351-969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGT65R025D2ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-HSOF-8

Series

IGT65

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

236W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC for Industrial Applications

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Infineon IGT65 Series MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 70A Continuous Drain Current - IGT65R025D2ATMA1


This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for demanding industrial environments. It operates across an extended temperature range and is supplied in a surface-mount package suited to compact boards. The device is intended for power conversion and switching roles where high voltage tolerance and robust continuous current handling are required.

Features and Benefits:


• 650V drain withstand for high-voltage switching applications
• 70A continuous drain capability for sustained load handling
• 0.03Ω Rds(on) for reduced conduction losses
• 236W maximum power dissipation for thermal headroom
• 11nC typical gate charge for faster switching transitions
• 10V gate rating compatible with standard gate-drive voltages

Applications


• Ideal for industrial switch-mode power supplies and inverters
• Suitable for motor control stages in high-voltage systems
• Used with high-voltage DC-DC converters for energy conversion
• Can be used for hard-switching topologies in power electronics
• Appropriate for telecoms power distribution and auxiliary supplies

What package style is used and how does it affect board assembly?


The device is supplied in a PG-HSOF-8 surface-mount package which facilitates automated reflow soldering and compact PCB layouts while providing multiple thermal and electrical leads.

What gate-drive considerations should be made for reliable operation?


Keep the gate drive within ±10V and provide a low-impedance return path to minimise switching transients and ensure predictable turn-on and turn-off timing.

How does the temperature range influence deployment locations?


The rated operating span from -55°C to 150°C allows placement in both cold-start and high-temperature industrial enclosures without derating the basic switching capability.

What thermal management strategies are recommended for continuous operation?


Use adequate copper area or dedicated heatsinking under the package, ensure good PCB thermal vias, and consider airflow to maintain junction temperatures within safe limits.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง