Infineon IGT65 Type N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R055D2ATMA1
- RS Stock No.:
- 351-966
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGT65R055D2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB305.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB326.67
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,995 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB305.30 |
| 10 - 99 | THB274.62 |
| 100 - 499 | THB253.34 |
| 500 - 999 | THB235.03 |
| 1000 + | THB210.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 351-966
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGT65R055D2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IGT65 | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.066Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 106W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IGT65 | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.066Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 106W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC for Industrial Applications | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolGaN is a highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. This makes it suitable for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial applications.
Enhancement mode transistor
Ultra fast switching
No reverse recovery charge
Capable of reverse conduction
Low gate and output charge
Superior commutation ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R140D2ATMA1
- Infineon IGT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R025D2ATMA1
- Infineon IGT65 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IGT65R045D2ATMA1
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R039M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1