Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 314 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN12S5N017ATMA1
- RS Stock No.:
- 284-669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB433.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB464.326
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB216.975 | THB433.95 |
| 20 - 198 | THB195.45 | THB390.90 |
| 200 - 998 | THB180.11 | THB360.22 |
| 1000 + | THB167.245 | THB334.49 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 284-669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 314A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-HSOF-8-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 358W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 314A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-HSOF-8-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 358W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 automotive power MOSFET is engineered for robust performance in demanding applications. Featuring the OptiMOS 5 technology, it excels in efficiency and reliability, making it an Ideal choice for automotive power management solutions. Its N channel enhancement mode structure delivers high level functionality while adhering to rigorous industry standards. Designed to withstand extreme conditions, this power transistor ensures operability up to 175°C and features an extended qualification beyond AEC Q101.
Optimised for automotive compatibility
Enhanced testing ensures dependable performance
Robust design with Advanced thermal management
MSL1 rating supports 260°C Peak reflow
RoHS compliant for eco friendly initiatives
Avalanche testing confirms transient resilience
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN12S5N017ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN06S5N008ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT017N12NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF IAUT200N08S5N023ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin PG-HSOF-8 IPT60R070CM8XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8