Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs, 60 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-HSOF-8 IPT60R070CM8XTMA1
- RS Stock No.:
- 690-428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60R070CM8XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB288.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB308.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB144.07 | THB288.14 |
| 20 - 98 | THB116.84 | THB233.68 |
| 100 - 198 | THB89.36 | THB178.72 |
| 200 + | THB71.54 | THB143.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 690-428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60R070CM8XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Series | OptiMOS 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Length | 10.1mm | |
| Width | 11.88 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, ISO 128-30 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Series OptiMOS 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.4mm | ||
Length 10.1mm | ||
Width 11.88 mm | ||
Standards/Approvals RoHS, ISO 128-30 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB175N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP175N20NM6AKSA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ106N12LM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC073N12LM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ330N12LM6ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN06S5N008ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN12S5N017ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT017N12NM6ATMA1
