Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 171 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC030N10NS5SCATMA1
- RS Stock No.:
- 284-639
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 284-639
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 171A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PG-WSON-8 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 171A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PG-WSON-8 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Power MOSFET is designed to deliver exceptional performance in demanding applications. As part of the OptiMOS 5 series, it combines ground breaking technology with robust features to meet the needs of industrial applications. With a substantial drain source breakdown voltage of 100V and significant avalanche capability, this component guarantees robust operation in high stress situations. The products innovative design streamlines heat dissipation, preserving performance even under heavy loads, which translates to increased longevity and reliability in your circuits.
Dual side cooling optimizes heat distribution
175°C rating for challenging environments
N channel configuration enhances flexibility
Superior thermal resistance maximizes efficiency
100% avalanche tested for reliability
Pb free plating complies with RoHS
Halogen free construction for eco friendliness
Qualified per JEDEC standards for industry
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC030N10NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC023N08NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC160N15NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC009N04LSSCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC110N15NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC033N08NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC007N04LS6SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC093N15NS5SCATMA1
