Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC009N04LSSCATMA1

RS Stock No.:: 284-695
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC009N04LSSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC009N04LSSCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB287,688.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB307,828.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 +	THB71.922	THB287,688.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-695
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC009N04LSSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	381A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PG-WSON-8
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	188W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 381A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PG-WSON-8
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 188W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC009N04LSSCATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 381A Maximum Continuous Drain Current - BSC009N04LSSCATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel switch designed for surface-mount power conversion and control applications. It operates across a wide ambient range and is intended for systems that demand substantial current handling and compact mounting using a PG-WSON-8 package.

Features and Benefits:

• 381A continuous drain current enables high-load switching capability
• 40V drain-source rating supports medium-voltage power stages
• 1V forward voltage reduces conduction losses under load
• 188W maximum dissipation permits substantial power handling
• Type N enhancement mode provides standard MOSFET switching behaviour
• 20V gate-source tolerance allows robust gate-drive margins

Applications

• Suitable for high-current DC-DC converter stages
• Ideal for motor-driver half-bridge configurations
• Used with server power-supply switching networks
• Can be used for telecom power distribution modules
• Appropriate for industrial inverter intermediate stages

What temperature extremes can the device endure in operation?

It maintains functionality from -55 °C up to 175 °C, allowing use in harsh thermal environments and elevated-junction designs.

What mounting method does the device require on a PCB?

The component is supplied in a PG-WSON-8 package intended for surface mounting to enable compact board layouts and low-inductance connections.

How does the gate-drive voltage affect switching?

The gate-source voltage range permits up to 20V, giving margin for fast switching with common gate-drive voltages while avoiding overdrive that could stress the gate.

Is the device suitable where environmentally restricted materials are required?

It complies with RoHS directives, meeting restricted-substance requirements for material selection.