Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC009N04LSSCATMA1
- RS Stock No.:
- 284-695
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC009N04LSSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 284-695
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC009N04LSSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 381A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PG-WSON-8 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 381A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PG-WSON-8 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Power MOSFET is engineered to provide exceptional performance, making it an Ideal choice for industrial applications. Designed with a dual side cooled package, this device excels in thermal resistance, ensuring optimal performance even in demanding conditions. This MOSFET is fully qualified according to JEDEC standards, highlighting its reliability and stability. With a maximum operating temperature of 175°C, it supports extended operational ranges, making it suitable for various applications that require robust performance. Comprehensive electrical characteristics validate its design for synchronous rectification, ensuring it's a forward thinking solution for modern electronic demands.
Dual side cooling for thermal efficiency
Low on resistance minimizes energy losses
High junction temperature rating for durability
100 percent avalanche tested for reliability
Pb free and RoHS compliant standards
Halogen free construction reduces footprint
Qualified for industrial applications and JEDEC standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC009N04LSSCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC007N04LS6SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC160N15NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC110N15NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC033N08NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC093N15NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC030N10NS5SCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC023N08NS5SCATMA1
