Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 171 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC023N08NS5SCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
284-638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC023N08NS5SCATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

171A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-WSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is engineered to excel in demanding applications requiring high efficiency and robust performance. Designed with an innovative PG WSON 8 package, this transistor delivers excellent thermal management, ensuring optimal heat dissipation during operation. Moreover, its dual side cooling capability significantly enhances thermal performance, and the extended operational temperature range allows for greater versatility in various environments. With a focus on reliability, this device has undergone rigorous testing to ensure it meets the stringent quality standards expected in industrial applications, making it a reliable choice for engineers looking to improve system performance while managing thermal constraints.

High efficiency minimizes energy loss

Dual side cooling enhances thermal management

Compact design for space saving integration

Meets high reliability standards

Suitable for various industrial applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง