Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 56 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WSON-8 BSC160N15NS5SCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
284-651
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC160N15NS5SCATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-WSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

115W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is engineered to deliver exceptional performance in high frequency switching applications. With a robust 150V rating, it serves as a reliable solution for industrial and automotive electronics. The dual side cooled PG WSON 8 package ensures minimal thermal resistance, allowing for efficient heat dissipation even under heavy load conditions. Designed for N channel operation, this MOSFET excels in synchronous rectification, making it Ideal for power management tasks where efficiency and reliability are paramount. Manufacturers can Trust this component to meet stringent requirements, delivering effective and stable performance in demanding environments.

Optimised for high frequency operation

Dual side cooling lowers thermal resistance

Pb free lead plating for RoHS compliance

Excellent gate charge performance boosts efficiency

Ideal for synchronous rectification applications

Operates at high temperatures without efficiency loss

Qualified to JEDEC standards for industry

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง