ROHM RV7 Type N-Channel MOSFET, 30 V Enhancement, 3-Pin DFN1212-3 RV7E040AJTCR1
- RS Stock No.:
- 265-381
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RV7E040AJTCR1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB226.625
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB242.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB9.065 | THB226.63 |
| 100 - 225 | THB8.61 | THB215.25 |
| 250 - 475 | THB7.976 | THB199.40 |
| 500 - 975 | THB7.343 | THB183.58 |
| 1000 + | THB7.066 | THB176.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-381
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RV7E040AJTCR1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | RV7 | |
| Package Type | DFN1212-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.0nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.2mm | |
| Width | 1.2 mm | |
| Height | 0.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series RV7 | ||
Package Type DFN1212-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.0nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.2mm | ||
Width 1.2 mm | ||
Height 0.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is designed for switching and load switching applications. Housed in a leadless ultra small SMD plastic package of 1.2x1.2x0.5 mm with an exposed drain pad, it offers excellent thermal conduction, ensuring efficient performance in compact electronic designs.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free lead plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RV7 Type N-Channel MOSFET 3-Pin DFN1212-3 RV7L020GNTCR1
- ROHM RV7C040BC Type P-Channel MOSFET -20 V Depletion, 4-Pin DFN1212-3 RV7C040BCTCR1
- ROHM R6530KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6530KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6530KNX3C16
- Vishay IRFZ Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLZ34NPBF
- Vishay IRFZ Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ34PBF
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247