ROHM RV7 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 3-Pin DFN1212-3 RV7L020GNTCR1
- RS Stock No.:
- 265-382
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RV7L020GNTCR1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB244.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB261.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB9.778 | THB244.45 |
| 100 - 225 | THB9.283 | THB232.08 |
| 250 - 475 | THB8.61 | THB215.25 |
| 500 - 975 | THB7.917 | THB197.93 |
| 1000 + | THB7.62 | THB190.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-382
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RV7L020GNTCR1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN1212-3 | |
| Series | RV7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 157mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.1W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.5mm | |
| Length | 1.2mm | |
| Width | 1.2 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN1212-3 | ||
Series RV7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 157mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.1W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.5mm | ||
Length 1.2mm | ||
Width 1.2 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is designed for switching and load switching applications. Housed in a leadless ultra small SMD plastic package of 1.2x1.2x0.5 mm with an exposed drain pad, it offers excellent thermal conduction, ensuring efficient performance in compact electronic designs.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free lead plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RV7 Type N-Channel MOSFET 3-Pin DFN1212-3 RV7E040AJTCR1
- ROHM RV7C040BC Type P-Channel MOSFET -20 V Depletion, 4-Pin DFN1212-3 RV7C040BCTCR1
- ROHM BSS Type N-Channel MOSFET 3-Pin SST-3 BSS670AHZGT116
- ROHM RQ5 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TSMT-3 RQ5L045BGTCL
- ROHM BSS Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-323 BSS138WAHZGT106
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK60S06K3L