ROHM RS6 Type N-Channel MOSFET, 270 A, 30 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6E120BGTB1
- RS Stock No.:
- 265-322
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RS6E120BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB703.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB752.62
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB70.338 | THB703.38 |
| 100 - 240 | THB66.827 | THB668.27 |
| 250 + | THB61.901 | THB619.01 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-322
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RS6E120BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | RS6 | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 138W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 75.0nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series RS6 | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 138W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75.0nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET features low on resistance, making it suitable for switching applications, motor drives, and DC/DC converters. Its efficient performance ensures reliable operation across various electronic systems.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free plating
Halogen free
High power package
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RS6 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6L120BHTB1
- ROHM RS6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6G120BGTB1
- ROHM RS6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6G120BHTB1
- ROHM RS6 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6N120BHTB1
- ROHM RS1P600BH Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1P600BHTB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KC6TB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KC7TB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1