ROHM HP8KE5 Dual N-Channel MOSFET, 8.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KE5TB1
- RS Stock No.:
- 331-686
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8KE5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB260.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB278.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB26.027 | THB260.27 |
| 100 - 240 | THB24.74 | THB247.40 |
| 250 - 490 | THB22.91 | THB229.10 |
| 500 - 990 | THB21.079 | THB210.79 |
| 1000 + | THB20.287 | THB202.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 331-686
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8KE5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Series | HP8KE5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 193mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Series HP8KE5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 193mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a small surface mount package.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM HT8KE5H Dual N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HT8KE5HTB1
- ROHM HP8KB5 Dual N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KB5TB1
- ROHM HP8KC5 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KC5TB1
- ROHM HP8KF7H Dual N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSOP-8 HP8KF7HTB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 2 Type P 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8MB5TB1
- ROHM RS1P600BH Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8
- ROHM RS1P600BH Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1P600BHTB1
