ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KC6TB1
- RS Stock No.:
- 264-757
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8KC6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB178.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB190.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB35.626 | THB178.13 |
| 50 - 95 | THB33.844 | THB169.22 |
| 100 - 495 | THB31.37 | THB156.85 |
| 500 - 995 | THB28.896 | THB144.48 |
| 1000 + | THB27.808 | THB139.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-757
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- HP8KC6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HP8 | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 21W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HP8 | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 21W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Small Surface Mount Package (HSOP8)
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KC7TB1
- ROHM HP8 2 Type P 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8MC5TB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KB7TB1
- ROHM Nch+Nch HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KB6TB1
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 2 Type P 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8MB5TB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC5TB1
- ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 HT8KB5TB1
- ROHM HP8KC5 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KC5TB1
