ROHM R65 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6502END3TL1
- RS Stock No.:
- 265-280
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6502END3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB357.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB382.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB35.772 | THB357.72 |
| 100 - 240 | THB33.999 | THB339.99 |
| 250 - 490 | THB31.455 | THB314.55 |
| 500 - 990 | THB28.988 | THB289.88 |
| 1000 + | THB27.909 | THB279.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-280
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6502END3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | R65 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.0Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series R65 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.0Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is a low noise, Super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease of use. This series products achieve superior performance for noise sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Pb free lead plating
RoHS compliant
Fast switching
Drive circuits can be simple
Parallel use is easy
Low on resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6504END3TL1
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N65M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD6N60M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M2