ROHM Type N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6511END3TL1
- RS Stock No.:
- 235-2694
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6511END3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB305.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB326.895
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB61.102 | THB305.51 |
| 50 - 95 | THB59.268 | THB296.34 |
| 100 - 245 | THB56.898 | THB284.49 |
| 250 - 995 | THB53.484 | THB267.42 |
| 1000 + | THB49.74 | THB248.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2694
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6511END3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 10.4mm | |
| Length | 6.4mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 10.4mm | ||
Length 6.4mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6511KND3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6509END3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6509KND3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6504END3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6504KND3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6507END3TL1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6507KND3TL1
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPA11N60C3XKSA1