onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB035N10A
- RS Stock No.:
- 802-3200
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDB035N10A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB379.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB405.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 52 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 198 | THB189.60 | THB379.20 | - |
| 200 - 398 | THB184.865 | THB369.73 | 2% |
| 400 + | THB182.01 | THB364.02 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 802-3200
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDB035N10A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB035N10A
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB3632
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220