Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF8010STRLPBF
- RS Stock No.:
- 130-0966
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF8010STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB448.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB479.39
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 615 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB89.606 | THB448.03 |
| 200 - 395 | THB87.364 | THB436.82 |
| 400 + | THB86.02 | THB430.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0966
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF8010STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-988 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-988 | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU3607PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3607PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220 IRF8010PBF
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263