Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF8010STRLPBF
- RS Stock No.:
- 130-0966
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-36-988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF8010STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB567.20
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB566.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB606.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 605 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 195 | THB113.35 | THB566.75 | - |
| 200 - 395 | THB110.514 | THB552.57 | THB567.20 |
| 400 + | THB108.814 | THB544.07 | THB1,814.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0966
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-36-988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF8010STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF8010STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-220 IRF8010PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL2910STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4010TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4510TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1310NSTRLPBF
