onsemi NTBL Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL060N065SC1
- RS Stock No.:
- 220-562
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL060N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB306.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB327.62
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB306.19 |
| 10 - 99 | THB275.68 |
| 100 - 499 | THB254.39 |
| 500 - 999 | THB235.97 |
| 1000 + | THB191.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-562
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL060N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HPSOF-8L | |
| Series | NTBL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22.6 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Forward Voltage Vf | 4.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 10.38 mm | |
| Length | 9.9mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HPSOF-8L | ||
Series NTBL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22.6 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Forward Voltage Vf 4.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 2.3mm | ||
Width 10.38 mm | ||
Length 9.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
High Speed Switching with Low Capacitance
RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTBL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL075N065SC1
- onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL023N065M3S
- onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL032N065M3S
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL065N65S3HF
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW65R039M1HXKSA1
