STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 46 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL

RS Stock No.:: 228-3052
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STO65N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 46 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1800 ชิ้น)*

THB325,742.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB348,544.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1800 - 1800	THB180.968	THB325,742.40
3600 - 3600	THB174.008	THB313,214.40
5400 +	THB171.805	THB309,249.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-3052
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STO65N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	46A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-LL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	76mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	320W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65.2nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 46A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-LL
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 76mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 320W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65.2nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - STO65N60DM6

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 46 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง