onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET, 77 A, 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL023N065M3S
- RS Stock No.:
- 333-415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB563.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB603.06
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,993 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB563.61 |
| 10 - 99 | THB507.05 |
| 100 + | THB467.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 333-415
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL023N065M3S
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 77A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HPSOF-8L | |
| Series | EliteSiC | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 9.9mm | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 10.38 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 77A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HPSOF-8L | ||
Series EliteSiC | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 9.9mm | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Height 2.3mm | ||
Width 10.38 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The ON Semiconductor SiC MOSFET optimized for high-efficiency switching applications, offering low conduction losses and robust thermal performance. Its advanced design enhances reliability in demanding power systems while maintaining compact packaging. This device ensures efficient operation with minimal energy dissipation.
H PSOF8L package
RoHS compliant
Pb free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL032N065M3S
- onsemi NTBL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL075N065SC1
- onsemi NTBL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL060N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L
- Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041C6FKSA1
- Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon IMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R020M2HXTMA1
