Nexperia NSF030120L3A0 N-Channel MOSFET, 48 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 NSF030120L3A0Q
- RS Stock No.:
- 219-450
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF030120L3A0Q
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB1,112.83
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,190.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 448 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,112.83 |
| 10 - 99 | THB1,001.49 |
| 100 + | THB923.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-450
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF030120L3A0Q
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 48A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NSF030120L3A0 | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 306W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 48A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NSF030120L3A0 | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 306W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a Compact 3-pin TO-247-3 plastic package for through hole mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it Ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NSF030120L3A0 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NSF030120L3A0Q
- Vishay SiHG052N60EF N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG052N60EF-GE3
- IXYS X2-Class N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH48N65X2
- STMicroelectronics STWA68N65DM6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ44ESTRLPBF
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK48N50
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R060P7XKSA1
