STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB1,330.03

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,423.13

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB1,330.03
10 - 99THB1,197.08
100 +THB1,103.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
152-113
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SH63N65DM6AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

ACEPACK SMIT

Series

MDmesh DM6

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

64mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.55V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±25 V

Maximum Power Dissipation Pd

424W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AQG 324

Automotive Standard

AEC

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics device combines two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT is a very Compact and rugged power module in a surface mount package for easy assembly. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost, and single switch through different combinations of the internal power switches.

AQG 324 qualified

Half-bridge power module

650 V blocking voltage

Fast recovery body diode

Very low switching energies

Low package inductance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง