STMicroelectronics HB Type P-Channel MOSFET, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STGSH80HB65DAG
- RS Stock No.:
- 152-183
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGSH80HB65DAG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,231.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,317.72
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,231.51 |
| 10 - 99 | THB1,108.59 |
| 100 + | THB1,022.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 152-183
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGSH80HB65DAG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | HB | |
| Package Type | ACEPACK SMIT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 9 | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 456nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.05mm | |
| Length | 25.20mm | |
| Width | 33.20 mm | |
| Standards/Approvals | Automotive-grade | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series HB | ||
Package Type ACEPACK SMIT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 9 | ||
Channel Mode Depletion | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 456nC | ||
Forward Voltage Vf 1.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.05mm | ||
Length 25.20mm | ||
Width 33.20 mm | ||
Standards/Approvals Automotive-grade | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics device combines two IGBTs and diodes in half-bridge topology mounted on a very Compact and rugged easily surface-mounted package. The device is part of the HB series IGBTs, which is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included in every switch.
AQG 324 qualified
High-speed switching series
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance thanks to DBC substrate
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics HB Type P-Channel MOSFET 9-Pin ACEPACK SMIT STGSH80HB65DAG
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT SH32N65DM6AG
- STMicroelectronics 600 V 85 A Ultrafast Bridge Module Ultrafast Bridge Rectifier 9-Pin ACEPACK SMIT STTH120RQ06-M2Y
- STMicroelectronics MASTERG Type N 9.7 A 31-Pin QFN-9 MASTERGAN1LTR
