STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD5NK50ZT4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB409.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB438.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,060 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
20 - 180THB20.499THB409.98
200 - 480THB19.481THB389.62
500 - 980THB18.028THB360.56
1000 - 1980THB16.598THB331.96
2000 +THB15.992THB319.84

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-461
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD5NK50ZT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-252

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.1mm

Width

6.6 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง