STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 17 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP20NK50Z
- RS Stock No.:
- 151-441
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP20NK50Z
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB5,047.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,400.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,650 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | THB100.944 | THB5,047.20 |
| 500 + | THB95.893 | THB4,794.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-441
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP20NK50Z
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.27Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 119nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.27Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 119nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW20NK50Z
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MDmesh II Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MDmesh II Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB23NM50N
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP9NK50Z