Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin 188, Through Hole
- RS Stock No.:
- 273-7454
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP30N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,593.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,844.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB71.866 | THB3,593.30 |
| 100 + | THB65.881 | THB3,294.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7454
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP30N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 55A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Package Type | 188 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.85mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Width | 10.38mm | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 55A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Package Type 188 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.85mm | ||
Height 4.57mm | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Width 10.38mm | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT is a high speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. This IGBT is qualified according to JEDEC for target applications. This IGBT is used for solar converters, uninterruptible power supplies, welding converters and mid to high range switching frequency converters application.
Halogen free
RoHS compliant
Low gate charge
Pb free lead plating
650V breakdown voltage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT 3-Pin 188, Through Hole
- Infineon IKW30N65H5XKSA1 55 A 650 V Through Hole
- Infineon 55 A 650 V Through Hole
- Starpower GD30PJX65L2S 55 A 650 V
- STMicroelectronics STD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5
- STMicroelectronics STP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N240K6
