Infineon FS75R12KT3GBOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-7408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 273-7408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 355W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Height | 20.5mm | |
| Length | 122mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 355W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Height 20.5mm | ||
Length 122mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 75A continuous DC collector current. It has low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled high efficiency diode and NTC.
Thermal resistance
High power density
Compact module concept