Infineon FF200R12KE4HOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-7371
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF200R12KE4HOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,591.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,912.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 10 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB4,591.46 |
| 5 - 9 | THB4,453.72 |
| 10 - 99 | THB4,320.11 |
| 100 - 249 | THB4,190.50 |
| 250 + | THB4,064.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7371
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF200R12KE4HOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 200A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.1kW | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.75V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 106.4mm | |
| Height | 29.3mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Width | 61.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 200A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.1kW | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.75V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 106.4mm | ||
Height 29.3mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Width 61.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module is a 62 mm dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled diode. This IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 200A continuous DC collector current. It is a superior solution for frequency controlled inverter drives.
Highest reliability
Thermal resistance
Optimal electrical performance