Infineon IGBT Module, 100 A 1200 V Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-7409
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,532.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,779.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB3,532.30 |
| 5 - 9 | THB3,426.33 |
| 10 - 99 | THB3,289.27 |
| 100 - 249 | THB3,124.81 |
| 250 + | THB2,937.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7409
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 355W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 20.5mm | |
| Width | 62 mm | |
| Length | 122mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 355W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 20.5mm | ||
Width 62 mm | ||
Length 122mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 75A continuous DC collector current. It has low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled high efficiency diode and NTC.
Thermal resistance
High power density
Compact module concept