STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, NPN-Channel Single IGBT, 216 A 650 V, 9-Pin ECOPACK, Surface
- RS Stock No.:
- 273-5094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGSB200M65DF2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB698.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB747.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB698.93 |
| 10 - 49 | THB664.14 |
| 50 - 99 | THB630.74 |
| 100 - 149 | THB599.08 |
| 150 + | THB569.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGSB200M65DF2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 216A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 714W | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | ECOPACK | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | NPN | |
| Pin Count | 9 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.05V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL1557 | |
| Height | 5.5mm | |
| Length | 4mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 216A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 714W | ||
Configuration Single | ||
Package Type ECOPACK | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type NPN | ||
Pin Count 9 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL1557 | ||
Height 5.5mm | ||
Length 4mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Dice on direct bond copper (DBC) substrate
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG 216 A 650 V Surface
- STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG 119 A 650 V Through Hole
- Vishay VS-GT100LA65UF 94 A 650 V Panel
- Vishay VS-GT50LA65UF 59 A 650 V Panel
- Infineon IHW30N65R5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon 79 A 650 V Surface
- STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG 3-Pin TO-247