Infineon IKB40N65ES5ATMA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 79 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
215-6654
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKB40N65ES5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

79A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

High Speed Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง