Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 79 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS Stock No.:
- 215-6654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB66,652.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,318.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB66.652 | THB66,652.00 |
| 2000 - 2000 | THB63.986 | THB63,986.00 |
| 3000 + | THB62.324 | THB62,324.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 79A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 79A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference