Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Stock No.:
- 215-6654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB66,652.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,318.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB66.652 | THB66,652.00 |
| 2000 - 2000 | THB63.986 | THB63,986.00 |
| 3000 + | THB62.324 | THB62,324.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6654
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 79 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation | 230 W | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 79 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation 230 W | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB40N65EF5ATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R115CFD7AATMA1
