Infineon FS50R12KT3BPSA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 28-Pin Module, Panel
- RS Stock No.:
- 273-2929
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS50R12KT3BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB31,795.41
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,021.095
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB2,119.694 | THB31,795.41 |
| 30 + | THB1,943.059 | THB29,145.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2929
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS50R12KT3BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280W | |
| Package Type | Module | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 28 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 20.5mm | |
| Length | 107.5mm | |
| Width | 45 mm | |
| Standards/Approvals | IEC61140, EN61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280W | ||
Package Type Module | ||
Configuration Common Emitter | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 28 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 20.5mm | ||
Length 107.5mm | ||
Width 45 mm | ||
Standards/Approvals IEC61140, EN61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled HE diode and NTC.
Established Econo module concept
Integrated temperature sensor available
Low stray inductance module design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 75 A 1200 V Panel
- Infineon 100 A 1200 V Panel
- Infineon FP100R12N2T7BPSA2 100 A 1200 V Panel
- Infineon 50 A 1200 V Module, Panel
- Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 50 A 1200 V Module, Panel
- onsemi FGY4L75T120SWD 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2 75 A 1200 V Panel
- Infineon 75 A 1200 V Panel