Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB5,598.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,990.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 +THB111.967THB5,598.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-1524
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGP50N60TXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

90 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

3

Maximum Power Dissipation

333 W

Package Type

PG-TO220-3

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง