Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Module, 50 A 600 V TO-220
- RS Stock No.:
- 259-1525
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP50N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB253.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB271.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB126.90 | THB253.80 |
| 10 - 18 | THB116.09 | THB232.18 |
| 20 - 24 | THB113.775 | THB227.55 |
| 26 - 98 | THB110.995 | THB221.99 |
| 100 + | THB98.80 | THB197.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1525
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP50N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Height | 4.57mm | |
| Length | 29.95mm | |
| Width | 10.36 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Height 4.57mm | ||
Length 29.95mm | ||
Width 10.36 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module, 50 A 600 V TO-220
- Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Module, 24 A 600 V TO-220
- Infineon IGBT, 15 A 600 V TO-220
- Infineon Low Loss IGBT, 15 A 600 V TO-220
- Infineon IKA15N60TXKSA1 IGBT, 15 A 600 V TO-220
- Infineon IGP15N60TXKSA1 Low Loss IGBT, 15 A 600 V TO-220
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
- Infineon IGW50N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
