Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
- RS Stock No.:
- 259-1525
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP50N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB253.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB271.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 458 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB126.90 | THB253.80 |
| 10 - 18 | THB116.09 | THB232.18 |
| 20 - 24 | THB113.775 | THB227.55 |
| 26 - 98 | THB110.995 | THB221.99 |
| 100 + | THB98.80 | THB197.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1525
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP50N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 90 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 333 W | |
| Number of Transistors | 3 | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 90 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 333 W | ||
Number of Transistors 3 | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
- Infineon IKP15N65H5XKSA1 IGBT Transistor Module, 30 A 650 V PG-TO220-3
- Infineon IGP40N65F5XKSA1 IGBT 650 V PG-TO220-3
- Infineon IGP30N60H3XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO220-3, Through Hole
- Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 24 A 600 V PG-TO-220-3
- Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP069N20NM6AKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R037CM8XKSA1
- Infineon IKW50N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 50 A 650 V PG-TO247-3