Infineon IGP15N60TXKSA1 Single IGBT, 26 A 600 V TO-220-3
- RS Stock No.:
- 242-0975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP15N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 500 ชิ้น)*
THB15,817.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,924.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB31.635 | THB15,817.50 |
| 1000 - 1000 | THB30.528 | THB15,264.00 |
| 1500 + | THB29.459 | THB14,729.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 242-0975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGP15N60TXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 26 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| Package Type | TO-220-3 | |
| Configuration | Single | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 26 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 130 W | ||
Package Type TO-220-3 | ||
Configuration Single | ||
The Infineon 600 V, 15 A IGBTs transistor has maximum continous collector current is 26 A.The maximum junction temperature is 175°C. It has highest efficiency,low conduction and switching losses,comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design and high device reliability.
Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGP15N60TXKSA1 Single IGBT, 26 A 600 V TO-220-3
- Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IGB15N60TATMA1 IGBT 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3
- Infineon IKP28N65ES5XKSA1 Single IGBT, 38 A 650 V TO-220-3
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IGU04N60TAKMA1 Single IGBT Through Hole
