Infineon IGBT, 10 A 600 V TO-252
- RS Stock No.:
- 258-1003
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD10N60RFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB88,272.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB94,452.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB35.309 | THB88,272.50 |
| 5000 - 5000 | THB31.778 | THB79,445.00 |
| 7500 + | THB28.60 | THB71,500.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-1003
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD10N60RFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Switching Speed | 30kHz | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Series | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Package Type TO-252 | ||
Switching Speed 30kHz | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-free lead plating | ||
Series TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Very tight parameter distribution
Best in class current versus package size performance
Outstanding temperature stability
Very good EMI behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD10N60RC2ATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO220-3, Through Hole
- Infineon IGBT, 8 A 600 V TO-252
- Infineon IGBT, 6 A 600 V TO-252
- Infineon IGBT, 15 A 600 V TO-252
- Infineon IKD04N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V TO-252