Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- RS Stock No.:
- 258-1004
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD10N60RFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB112.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB120.578
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,416 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB56.345 | THB112.69 |
| 10 - 98 | THB50.60 | THB101.20 |
| 100 - 248 | THB48.81 | THB97.62 |
| 250 - 498 | THB41.27 | THB82.54 |
| 500 + | THB38.045 | THB76.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-1004
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKD10N60RFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 10A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Switching Speed | 30kHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 10A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Package Type TO-252 | ||
Switching Speed 30kHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Very tight parameter distribution
Best in class current versus package size performance
Outstanding temperature stability
Very good EMI behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD10N60RC2ATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD06N60RC2ATMA1 IGBT, 6 A 600 V TO-252
- Infineon IGBT, 8 A 600 V TO-252
- Infineon IGBT, 6 A 600 V TO-252
- Infineon IGBT, 15 A 600 V TO-252
- Infineon IKD04N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V TO-252
- Infineon IKD15N60RC2ATMA1 IGBT, 15 A 600 V TO-252
