Bourns BIDW50N65T IGBT, 100 A 650 V TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB432.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB462.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB216.09THB432.18
10 - 48THB194.08THB388.16
50 - 98THB183.43THB366.86
100 - 248THB159.58THB319.16
250 +THB156.33THB312.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
253-3509
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BIDW50N65T
ผู้ผลิต:
Bourns
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Bourns

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

100A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Package Type

TO-247

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).

650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง