Bourns BIDW20N60T IGBT, 40 A 600 V TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB279.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB299.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,166 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB139.86THB279.72
10 - 48THB125.73THB251.46
50 - 98THB119.03THB238.06
100 - 248THB103.46THB206.92
250 +THB101.31THB202.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
253-3505
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BIDW20N60T
ผู้ผลิต:
Bourns
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Package Type

TO-247

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BIDW20N60T

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.

600 V, 20 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Low switching loss

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง