Infineon IKN04N60RC2ATMA1 IGBT, 7.5 A 600 V PG-SOT223-3
- RS Stock No.:
- 240-8530
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKN04N60RC2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB34,116.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36,504.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB11.372 | THB34,116.00 |
| 6000 - 6000 | THB10.305 | THB30,915.00 |
| 9000 + | THB9.95 | THB29,850.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-8530
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKN04N60RC2ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 7.5 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 6.8 W | |
| Package Type | PG-SOT223-3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 7.5 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 6.8 W | ||
Package Type PG-SOT223-3 | ||
The Infineon RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete in PG- SOT-223 package. The RC-D2 with the monolithically integrated diode offers improvements of the performance, controllability and reliability compared to the RC-DF. It provides low switching loses on competitive price and is asy to design in products – drop in SMD replacement in DPAK and SOT-223 with high system reliability.
Improved controllability
Operating range of 1 to 20 kHz
Humidity robust design
Maximum junction temperature 150°C
Short circuit capability of 3 μs
Very tight parameter distribution
Pb free lead plating, RoHs compliant
Complete product spectrum and SPICE models
Operating range of 1 to 20 kHz
Humidity robust design
Maximum junction temperature 150°C
Short circuit capability of 3 μs
Very tight parameter distribution
Pb free lead plating, RoHs compliant
Complete product spectrum and SPICE models
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKN04N60RC2ATMA1 IGBT, 7.5 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN01N60RC2ATMA1 IGBT, 2.2 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN03N60RC2ATMA1 IGBT, 5.7 A 600 V PG-SOT223-3
- Infineon IKN06N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V PG-SOT223-3
- STMicroelectronics STGP3HF60HD IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKN01N60RC2ATMA1 Single IGBT 3-Pin PG-SOT223-3, Surface Mount
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223
- Infineon BSP Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223
