Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole
- RS Stock No.:
- 248-1200
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,965.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,103.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB1,965.61 |
| 2 - 5 | THB1,926.29 |
| 6 - 7 | THB1,887.74 |
| 8 - 11 | THB1,849.99 |
| 12 + | THB1,813.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-1200
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 56.7mm | |
| Series | F3L100R07W2H3B11 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 12mm | |
| Width | 42.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 4 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 56.7mm | ||
Series F3L100R07W2H3B11 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 12mm | ||
Width 42.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp.
Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology
Highest efficiency and power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 70 A 650 V
- Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 70 A 650 V
- Infineon FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 IGBT Module, 70 A 950 V
- Infineon IKWH70N65WR6XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3-HCC, Through Hole
- onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi NGTG35N65FL2WG IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- ROHM RGTH80TS65DGC13 Single Collector Single Gate IGBT, 70 A 650 V TO-247GE
- ROHM RGTH80TS65GC13 Single Collector Single Gate IGBT, 70 A 650 V TO-247GE
