Infineon IGBT Module 650 V, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*

THB37,603.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB40,235.685

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
15 - 15THB2,506.896THB37,603.44
30 - 30THB2,431.689THB36,475.34
45 +THB2,358.739THB35,381.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
248-1199
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F3L100R07W2H3B11BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

4

Mount Type

Through Hole

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

42.5 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

56.7mm

Series

F3L100R07W2H3B11

Height

12mm

Automotive Standard

No

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp.

Best cost-performance ratio with reduced system costs

High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology

Highest efficiency and power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง