Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 70 A 650 V
- RS Stock No.:
- 248-1199
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB37,603.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,235.685
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB2,506.896 | THB37,603.44 |
| 30 - 30 | THB2,431.689 | THB36,475.34 |
| 45 + | THB2,358.739 | THB35,381.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-1199
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 70 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 70 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 4 | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp.
Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology
Highest efficiency and power density
High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology
Highest efficiency and power density
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 70 A 650 V
- Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 70 A 650 V
- Infineon FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 IGBT Module, 70 A 950 V
- Infineon IKWH70N65WR6XKSA1 Single IGBT 3-Pin TO-247-3-HCC, Through Hole
- onsemi NGTG35N65FL2WG IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- ROHM RGTH80TS65GC13 Single Collector Single Gate IGBT, 70 A 650 V TO-247GE
- ROHM RGTH80TS65DGC13 Single Collector Single Gate IGBT, 70 A 650 V TO-247GE
