Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole
- RS Stock No.:
- 248-1196
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,616.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,729.71
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB1,616.55 |
| 2 - 5 | THB1,568.05 |
| 6 - 7 | THB1,521.01 |
| 8 - 11 | THB1,475.38 |
| 12 + | THB1,431.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-1196
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 12mm | |
| Length | 56.7mm | |
| Series | DF200R07W2H3B77 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 4 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 12mm | ||
Length 56.7mm | ||
Series DF200R07W2H3B77 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device has Booster configuration and uses IGBT HighSpeed 3 technology.
Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design
Highest efficiency and power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 650 V, Through Hole
- Infineon F3L150R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole
- Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole
- Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole
- Infineon F3L400R07W3S5B59BPSA1 Triple Parallel IGBT Module 650 V AG-EASY3B
- Infineon IGBT Module Panel
- Infineon FS75R07W2E3B11ABOMA1 IGBT Module Clamp
- Infineon FS3L100R07W3S5B11BPSA1 Single IGBT Module, 70 A 650 V AG-EASY3B
