Infineon FS75R07W2E3B11ABOMA1 IGBT Module, 95 A 650 V ACEPACK 2, Clamp
- RS Stock No.:
- 259-1503
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB2,205.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,360.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB2,205.88 |
| 5 - 9 | THB2,161.72 |
| 10 - 29 | THB2,035.20 |
| 30 - 49 | THB2,034.83 |
| 50 + | THB1,997.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1503
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 95A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 275W | |
| Package Type | ACEPACK 2 | |
| Mount Type | Clamp | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | FP75 | |
| Height | 12mm | |
| Length | 56.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 95A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 275W | ||
Package Type ACEPACK 2 | ||
Mount Type Clamp | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series FP75 | ||
Height 12mm | ||
Length 56.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon easy pack 2B modules with trenchstop IGBT3, emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC.
Increased blocking voltage capability to 650V
Low switching Losses
Low VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module Clamp
- Infineon 95 A 650 V Clamp
- Infineon F3L75R07W2E3B11BOMA1 95 A 650 V Clamp
- ROHM RGTV00TS65GC13 95 A 650 V Through Hole
- Infineon 700 A 1200 V AG-62MM-2, Clamp
- Infineon FZ600R12KS4HOSA1 700 A 1200 V AG-62MM-2, Clamp
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 SIHG026N60EF-GE3
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTH100N65G2-7AG
