onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

RS Stock No.:: 245-6973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NXH350N100H4Q2F2P1G
ผู้ผลิต / Manufacturer:: onsemi

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (In a Tray of 36)**

THB7,141.629

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,641.543

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

36 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	Per Tray**
36 - 36	THB7,141.629	THB257,098.644
72 - 72	THB7,131.12	THB256,720.32
108 +	THB7,120.61	THB256,341.96

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 245-6973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NXH350N100H4Q2F2P1G
ผู้ผลิต / Manufacturer:: onsemi

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2P1G

คุณสมบัติ	Value
Maximum Continuous Collector Current	303 A
Maximum Collector Emitter Voltage	1000 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Number of Transistors	4
Maximum Power Dissipation	592 W
Package Type	Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง