onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module 1 kV Q2PACK, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 72 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ -

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 36 ชิ้น)*

THB234,732.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB251,163.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
การประหยัด
36 - 36THB6,520.344THB234,732.38-
72 - 72THB6,510.749THB234,386.96-
108 +THB6,501.153THB234,041.51-

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
245-6973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH350N100H4Q2F2P1G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1kV

Maximum Power Dissipation Pd

592W

Number of Transistors

4

Package Type

Q2PACK

Mount Type

Surface

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

47.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

NXH350N100H4Q2F2P1G

Length

93.1mm

Height

12.3mm

Automotive Standard

No

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins


The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.

Extremely efficient trench with field stop technology

Low switching loss reduces system power dissipation

Module design offers high power density

Low inductive layout

Low package height

These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง