onsemi NXH300B100H4Q2F2PG IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
245-6969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH300B100H4Q2F2PG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1000V

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Number of Transistors

6

Package Type

Q2BOOST-PIM53

Mount Type

Surface

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

47.3mm

Height

17.7mm

Series

NXH300B100H4Q2F2PG

Standards/Approvals

RoHS

Length

93.1mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a high−density, integrated power module combines high performance IGBTs with 1200 V SiC diode.

Extremely Efficient Trench with field stop technology

Low switching loss reduces system power dissipation

Module design offers high power density

Low inductive layout

3 channel in Q2BOOST package

These are Pb free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง