onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface
- RS Stock No.:
- 245-6974
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB7,691.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,229.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB7,691.34 |
| 2 - 3 | THB7,680.10 |
| 4 - 7 | THB7,668.85 |
| 8 - 11 | THB7,657.60 |
| 12 + | THB7,646.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 245-6974
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1000V | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 592W | |
| Package Type | Q2PACK | |
| Mount Type | Surface | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 93.1mm | |
| Height | 12.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 47.3mm | |
| Series | NXH350N100H4Q2F2P1G | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1000V | ||
Number of Transistors 4 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 592W | ||
Package Type Q2PACK | ||
Mount Type Surface | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 93.1mm | ||
Height 12.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 47.3mm | ||
Series NXH350N100H4Q2F2P1G | ||
Automotive Standard No | ||
Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Extremely efficient trench with field stop technology
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface
- onsemi NXH300B100H4Q2F2PG IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface
- onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface
- onsemi IGBT Module 1000 V PIM42, Surface
- onsemi NXH400N100H4Q2F2PG IGBT Module 1000 V PIM42, Surface
- onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST-PIM53, Surface
- onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BR, Surface
- onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BG, Surface