Infineon FF900R12IE4BOSA1, Type N-Channel IGBT Module, 900 A 1200 V, 10-Pin PrimePACK2, Clamp

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 3 ชิ้น)*

THB52,519.761

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB56,196.144

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
3 - 3THB17,506.587THB52,519.76
6 - 9THB16,981.39THB50,944.17
12 +THB16,471.95THB49,415.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-6609
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF900R12IE4BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

900A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

510W

Package Type

PrimePACK2

Mount Type

Clamp

Channel Type

Type N

Pin Count

10

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

38mm

Standards/Approvals

No

Width

89 mm

Length

172mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE

IGBT Modules, Infineon


The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.

The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT Discretes & Modules, Infineon


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง